Аббревиатура IGBT расшифровывается как Insulated Gate Bipolar Transistor, в переводе — биполярный транзистор с изолированным затвором, сокращённо — БТИЗ. Устройства с применением этой технологии преобразуют электроэнергию с минимальными потерями.
Технологии энергосбережения всё больше интересуют производителей и потребителей электроники. Поэтому активно внедряются силовые устройства на базе биполярных транзисторов с изолированным затвором.
Энергосберегающие технологии широко внедряются во все виды производства, а также в транспортные системы — силовые IGBT модули являются их важным элементом. Они используются в преобразовательной технике для усиления или генерации электрических колебаний.
Силовые устройства с БТИЗ применяют в:
а также в оборудовании для медицины и в иных устройствах.
Внедрение модулей IGBT дает возможность конвертировать электроэнергию на высоких частотах. В процессе конвертации общие потери в агрегатах уменьшаются, а сами же устройства становятся меньше и легче. Также силовые ключи позволяют включать в приборы современные системы управления.
Весь рабочий потенциал модулей напрямую зависит от их характеристик.
IGBT-модули обладают:
Модули становятся более устойчивыми к сложным эксплуатационным режимами аварийным ситуациям. Однако для обеспечения стабильной и результативной работы необходимо соблюдать пиковые и перманентные значения напряжения, амплитуды и длительности перегрузочного тока, температуры.
Также нужно следовать правилам эксплуатации — так, напряжение питания должно сначала подаваться в блок управления и модульные драйверы, а потом в IGBT. Необходимы дополнительные узлы — цепи, резисторы и т. д.
Важно помнить, что такие модули чутко реагируют на статические разряды, а потому в целях безопасности необходимо исполнять инструкции при транспортировке и монтаже.
При осуществлении экспертизы нельзя разбирать устройство и производить с ним любого рода манипуляции.